John Bardeen

Estudió ingeniería eléctrica en la universidad de Wisconsin de la que obtuvo su primera licenciatura (B.Sc.) en 1928 y una segunda (M.Sc.) en 1929.

De 1930 a 1933 trabajó para la Gulf Research and Development Corp., y después de esto, comenzó sus trabajos de cara a la obtención de un doctorado (Ph.D.) en la universidad de Princeton, bajo la dirección de Eugene P. Wigner, cosa que consiguió en 1936.

En 1935 pasó a trabajar en la universidad de Harvard, en la que permaneció hasta 1938.

En 1939 se hizo cargo de un puesto de profesor en la universidad de Minnesota, y durante la II Guerra Mundial ejerció como investigador en el U.S. Naval Ordnance Laboratory, Washington, D.C.

Después de la guerra, a instancias de William B. Shockley, ingresó en los Bell Telephone Laboratories, en donde inició sus investigaciones sobre las propiedades de los semiconductores, uniéndose a un grupo de investigadores de estos laboratorios, de cuyo trabajo surgió la invención del transistor en 1947.

Su primera patente sobre el transistor, la US2524033, constituyó la base de la tecnología CMOS, indispensable para el desarrollo de los circuitos integrados.

Con Walter H. Brattain obtendría en 1950 la patente US2524035 sobre el transistor de punta de contacto (point contact transistor).

En 1951 aceptó una invitación de la universidad de Illinois en Urbana para unirse a la misma como profesor. En este puesto prosiguió sus investigaciones sobre semiconductores y más tarde dirigió las mismas hacia el desarrollo de la teoría de la superconductividad.

Durante su permanencia en esta universidad también actuó como consultor para varias firmas multinacionales, entre ellas Xerox Corp. y General Electric.

En 1956 recibió el Premio Nobel de Física, que compartió con Brattain y Shockley, por participación en la invención del transistor, y lo volvió a recibir de nuevo en 1972, también compartido, en esta ocasión con Leon N. Cooper y John R. Schrieffer, por sus investigaciones en el campo de la superconductividad.

Brattain fue miembro de numerosas instituciones científicas y académicas, entre ellas la American Physical Society, de la que fue presidente en los años 1968 y 1969, y actuó como consejero del presidente de Estados Unidos.

En 1975 pasó a ser profesor emérito de la universidad de Illinois y a partir de 1983, hasta su fallecimiento en 1991, formó parte de la dirección de la compañía Supertex, especializada en la producción de componentes semiconductores.

Entre los numerosos premios y honores recibidos por Bardeen cabe destacar:

Stuart Ballantine Medal (The Franklin Institute), 1952.

Oliver E. Buckley Prize (American Physical Society), 1954.

John Scott Medal (City of Philadelphia), 1955.

Fritz London Award (Duke University), 1962.

Vincent Bendix Award (American Society for Engineering Education), 1964.

National Medal of Science, 1965.

Michelson-Morley Award (Case Western Reserve University), 1968.

Medal of Honor (IEEE), 1971.

James Madison Medal (Princeton University), 1973.

Presidential Medal of Freedom, 1977.

Premio Lomonosov (Academia de Ciencias de la Unión Soviética), 1987.

Third Century Award, (Office of Copyrights and Patents), 1990.

Bardeen recibió también varios doctorados honoris causa, de distintas universidades, en su país y fuera de él, entre ellas:

Union College, Schenectady, 1955.

University of Wisconsin, 1960.

Rose Polytechnic University, 1966.

Western Reserve, 1966.

University of Glasgow, 1967.

Princeton University, 1968.

University of Illinois, 1974.

Indian Institute of Technology, 1977.

Fuentes consultadas / Sources

John Bardeen, 1908-1991. Memorial Tributes NAE, 1993.

True genius : the life and science of John Bardeen, Washington, D.C., 2002.